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前言介绍
在年4月18日，香港城市大学张华教授等人在Adv.Mater.上发表了题为“Salt-assisted2H-to-1T′PhaseTransformationofTransitionMetalDichalcogenides”的文章。在本文中，作者报道了一种简单的一步盐辅助（one-stepsalt-assisted）通用策略，用于控制具有常规2H相的市售过渡金属二卤化物（TMDs）的相变，产生大量亚稳态1T′-相TMDs，包括WS2、WSe2、MoS2和MoSe2。作者发现容易获得的金属盐，如K2C2O4·H2O、K2CO3、Na2CO3、Rb2CO3、Cs2CO3、KHCO3、NaHCO3和NaC2O4，可用于辅助2H到1T′的相变，极大简化了合成过程产生亚稳态1T′-TMDs。更重要的是，该方法还可用于制备1T′-TMD合金，例如1T′-WS2xSe2(1-x)。这种新开发的策略稳健且高效，也可用于具有各种多晶型的其他材料的相工程。研究成果
然而，在年4月21日时，张华团队又在Adv.Mater.上发表文章，题为“PreparationofAmorphousSnO2-EncapsulatedMulti-PhasedCrystallineCuHeterostructuresforHighlyEfficientCO2Reduction”！下面对这篇文章进行简要介绍。成果展示
控制金属半导体（metalsemiconductor）异质结构的结构和晶相对于调节其物理化学性质，以及提高其应用性能非常重要。基于此，香港城市大学张华教授（通讯作者）等人报道了一种简便的一锅湿化学（one-potwet-chemical）方法来合成三种类型的非晶相SnO2包裹的结晶铜（Cu）异质结构，即半胶囊（hemicapsule）、蛋黄-壳（yolk-shell）和核-壳（core-shell）纳米结构，其中已在结晶Cu核中观察到非常规晶相（例如2H、4H和6H）和缺陷（例如stackingfaultsandtwinboundaries，即堆垛层错和孪晶界）。半胶囊CuSnO2异质结构具有的空隙不仅使Cu核与非常规相暴露，而且保留了Cu和SnO2之间的界面，对电催化CO2还原反应（CO2RR）产生CO和甲酸盐在-1.05V至-1.55V的宽电位窗口（vs.RHE）中具有优异的选择性，其法拉第效率（FE）高达90%以上，并且在-1.45V（vs.RHE）时获得了CO2RR的最高FE达到了95.3%。该工作为合成具有良好催化应用前景的新型异质结构纳米材料开辟了一条新途径。背景介绍
构建由不同成分组成的异质结构是结合单个组分的优点甚至产生更多新特征的有效方法。在各种异质结构中，具有核-壳或蛋黄-壳结构的金属半导体（metalsemiconductor）异质结构因其独特的物理化学性质和良好的催化应用而受到广泛转载请注明地址:http://www.abmjc.com/zcmbhl/57.html
