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大家在各种各样的还原，脱保护中，有不少的氢源，但是使用不同的氢源，会有不同的优缺点，这里讲一个案例，将氢气换成甲酸，抑制了产物发生副反应
这里讲一个脱Bn的案例，反应使用50psiH2作为氢源，结果有少量产物降解：酰胺键断裂，生成了两个羧酸杂质（0.1%）和（0.5%）（注意：吡啶环也被过度还原了）
降解的对映片段也可以在母液中找到（和）。
措施：将氢源换成甲酸，没有消旋化，没有水解
反应条件：10%Pd/C(20%wt)，55°C,6h
来源：praticalprocessresearchanddevelopment第二版
processOptimization章节
总结：
1.不同的氢源，不同的优缺点，如果你只知道氢气，那么你就out了，有各种氢源:甲酸铵，硼氢化钠，甲酸，三乙基硅氢等等，每一种，可能都会有优缺点，造成不一样的杂质情况，如果可以多去尝试，有可能就可以解决你目前的棘手问题。
2.有些是原子状态的氢气，有些是氢负，对于各种官能团耐受，或者反应机理，都会有一定区别，不用用经验去解释，猜测，多尝试有可能会有意想不到的效果
3.控制杂质，无非两字，“控”和“除”；除：治标不治本；控：才是本。控制杂质是化学和工艺两种过程的综合体现。不要陶醉于你的工艺有多么的厉害，可以将杂质除的一干二净，毕竟很多杂质的除去都要以损失收率为代价。将风险，成本分摊给化学，从化学的源头，本质上，将杂质控的死死的，是另一种优秀的思维。因为那样做，可以增加你对化学的理解，增加工艺的稳定性，不要总是想把压力投放在工艺上，化学是源头。
4.知己知彼，百战不殆。一定要解析出顽固杂质的结构，才能有控制的角度，才知道从哪里入手去控制它，否则，只能盲目的去试，事倍功半。定性是第一位的。
